Главная → Материаловедение → Легирование полупроводников и получение р — п-переходов Легирование полупроводников и получение р — п-переходов Исходный материал Чистый беспримесный полупроводник — исходный материал для изготовления полупроводниковых приборов. В нем создают электронно дырочный р—n-переход, возникающий на стыке зон разной проводимости, который позволяет выпрямлять и усиливать ток, превращать различные виды энергии в электрическую и т.д. Для получения в монокристаллах определенной проводимости применяют специальное легирование очищенных германия или кремния. Для полупроводниковых приборов используют пластины, на которые разрезают легированные объемные монокристаллы определенной проводимости. Для стабильности рабочих характеристик таких приборов монокристалл должен иметь по всей длине однородную проводимость, равномерное распределение легирующей примеси.   21.10.2009, 1474 просмотра. Читать дальше: 1 2 3 4 5 6