г. Кировоградск, ул.Тагильская, д. 4 телефон/факс офиса:+7(495) 645-97-55 производство(п. Мисцево, МО):+7(4964) 17-19-92 телефон точки розничных продаж:+7(926) 525-24-13(мобильный)
Химические методы получения простых полупроводников и чистых элементов, используемых при легировании и в производстве сложных полупроводниковых материалов, обеспечивают высокую степень очистки. Дистилляцией(испарение жидкой фазы) удаляют легкоиспаряющиеся примеси, ректификацией(многократное испарение и конденсация) — примеси, имеющие невысокие температуры плавления, испарения и большой интервал жидкого состояния. Сублимацией(испарение твердой фазы) очищают от механических примесей и газов и получают монокристалл. Перечисленными методами можно получать монокристаллы с высоким значением удельного электросопротивления. Например, монокристалл германия при р = 0,10 Ом-м содержит в 1 м3 1020 атомов примесей(см. рис. 18.10).
Более глубокую очистку полупроводниковых материалов(для германия р > 0,45 Ом • м), а также легирование в строго контролируемых микродозах проводят кристаллофизическими методами. Основными из них являются методы направленной кристаллизации из расплава.